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判斷三極管飽和時(shí)應(yīng)該求出基級最大飽和電流 IBS，然后再根據(jù)實(shí)際的電路求出當(dāng)前的基級電流，如果當(dāng)前的基級電流大于基級最大飽和電流，則可判斷電路此時(shí)處于飽和狀態(tài)。

三極管飽和問題總結(jié)：

1. 在實(shí)際工作中，常用 Ib*β=V/R 作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù) Ib*β=V/R 算出的 Ib 值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。

2. 集電極電阻 越大越容易飽和；

3. 飽和區(qū)的現(xiàn)象就是：二個 PN 結(jié)均正偏，IC 不受 IB 之控制

問題：基極電流達(dá)到多少時(shí)三極管飽和？

解答：這個值應(yīng)該是不固定的，它和集電極負(fù)載、β值有關(guān)，估算是這樣的：假定負(fù)載電阻是 1K，VCC 是 5V，飽和時(shí)電阻通過電流最大也就是 5mA，用除以該管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基極電流大于 50μA 就可以飽和。

對于 9013、9012 而言，飽和時(shí) Vce 小于 0.6V，Vbe 小于 1.2V。下面是 9013 的特性表：

問題：如何判斷飽和？

判斷飽和時(shí)應(yīng)該求出基級最大飽和電流 IBS，然后再根據(jù)實(shí)際的電路求出當(dāng)前的基級電流，如果當(dāng)前的基級電流大于基級最大飽和電流，則可判斷電路此時(shí)處于飽和狀態(tài)。

飽和的條件：1. 集電極和電源之間有電阻存在  且越大就越容易管子飽和；2. 基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現(xiàn) b 較 c 電壓高的情況。             

影響飽和的因素：1. 集電極電阻 越大越容易飽和；2. 管子的放大倍數(shù)  放大倍數(shù)越大越容易飽和；3. 基集電流的大小；

飽和后的現(xiàn)象：1. 基極的電壓大于集電極的電壓；2. 集電極的電壓為 0.3 左右，基極為 0.7 左右（假設(shè) e 極接地）

談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻。假定晶體管集 - 射極電路的負(fù)載電阻（包括集電極與射極電路中的總電阻）為 R，則集 - 射極電壓 Vce=VCC-Ib*hFE*R，隨著 Ib 的增大，Vce 減小，當(dāng) Vce<0.6V 時(shí)，B-C 結(jié)即進(jìn)入正偏，Ice 已經(jīng)很難繼續(xù)增大，就可以認(rèn)為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。當(dāng)然 Ib 如果繼續(xù)增大，會使 Vce 再減小一些，例如降至 0.3V 甚至更低，就是深度飽和了。以上是對 NPN 型硅管而言。

另外一個應(yīng)該注意的問題就是：在 Ic 增大的時(shí)候，hFE 會減小，所以我們應(yīng)該讓三極管進(jìn)入深度飽和 Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定 e、c 極短路的情況下的 Ic 極限，當(dāng)然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價(jià)的。

注意：飽和時(shí) Vb>Vc，但 Vb>Vc 不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據(jù)還是放大倍數(shù)，有的管子 Vb>Vc 時(shí)還能保持相當(dāng)高的放大倍數(shù)。例如：有的管子將 Ic/Ib<10 定義為飽和，Ic/Ib<1 應(yīng)該屬于深飽和了。

從晶體管特性曲線看飽和問題：我前面說過：談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻。現(xiàn)在再作詳細(xì)一點(diǎn)的解釋。

以某晶體管的輸出特性曲線為例。由于原來的 Vce 僅畫到 2.0V 為止，為了說明方便，我向右延伸到了 4.0V。

如果電源電壓為 V，負(fù)載電阻為 R，那么 Vce 與 Ic 受以下關(guān)系式的約束：Ic = (V-Vce)/R

在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關(guān)系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X 軸上的截距是電源電壓 V，Y 軸上的截距是 V/R（也就是前面 NE5532 第 2 帖說的“Ic(max)是指在假定 e、c 極短路的情況下的 Ic 極限”）。這條斜線稱為“靜態(tài)負(fù)載線”（以下簡稱負(fù)載線）。各個基極電流 Ib 值的曲線與負(fù)載線的交點(diǎn)就是該晶體管在不同基極電流下的工作點(diǎn)。見下圖：

圖中假定電源電壓為 4V，綠色的斜線是負(fù)載電阻為 80 歐姆的負(fù)載線，V/R=50MA，圖中標(biāo)出了 Ib 分別等于 0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA 的工作點(diǎn) A、B、C、D、E、F。據(jù)此在右側(cè)作出了 Ic 與 Ib 的關(guān)系曲線。根據(jù)這個曲線，就比較清楚地看出“飽和”的含義了。曲線的綠色段是線性放大區(qū)，Ic 隨 Ib 的增大幾乎成線性地快速上升，可以看出β值約為 200。蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實(shí)際上，飽和是一個漸變的過程，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中，常用 Ib*β=V/R 作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與 Ic=50MA 的水平線相交，交點(diǎn)對應(yīng)的 Ib 值就是臨界飽和的 Ib 值。圖中可見該值約為 0.25mA。

由圖可見，根據(jù) Ib*β=V/R 算出的 Ib 值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。

圖中還畫出了負(fù)載電阻為 200 歐姆時(shí)的負(fù)載線。可以看出，對應(yīng)于 Ib=0.1mA，負(fù)載電阻為 80 歐姆時(shí)，晶體管是處于線性放大區(qū)，而負(fù)載電阻 200 歐姆時(shí)，已經(jīng)接近進(jìn)入飽和區(qū)了。負(fù)載電阻由大到小變化，負(fù)載線以 Vce=4.0 為圓心呈扇狀向上展開。負(fù)載電阻越小，進(jìn)入飽和狀態(tài)所需要的 Ib 值就越大，飽和狀態(tài)下的 C-E 壓降也越大。在負(fù)載電阻特別小的電路，例如高頻諧振放大器，集電極負(fù)載是電感線圈，直流電阻接近 0，負(fù)載線幾乎成 90 度向上伸展（如圖中的紅色負(fù)載線）。這樣的電路中，晶體管直到燒毀了也進(jìn)入不了飽和狀態(tài)。以上所說的“負(fù)載線”，都是指直流靜態(tài)負(fù)載線；“飽和”都是指直流靜態(tài)飽和。

用三極管需要考慮的問題：

1）耐壓夠不夠

2）負(fù)載電流夠不夠大

3）速度夠不夠快（有時(shí)卻是要慢速）

4）B 極控制電流夠不夠

5）有時(shí)可能考慮功率問題

6）有時(shí)要考慮漏電流問題（能否“完全”截止）。

7）一般都不怎么考慮增益（我的應(yīng)用還沒有對此參數(shù)要求很高）

實(shí)際使用時(shí)，晶體管注意四個要素就行：-0.1~-0.3V 振蕩電路， 0.65-0.7V 放大電路，0.8V 以上為開關(guān)電路，β值中放、高放為 30-40，低放 60-80，開關(guān) 100-120 以上就行，不必研究其它的，研究它的共價(jià)鍵、電子、空穴沒用

Vce=VCC（電源電壓）-Vc（集電極電壓）=VCC-Ic（集電極電流）Rc（集電極電阻）。

可以看出，這是一條斜率為 -Rc 的直線，稱為“負(fù)載線”。當(dāng) Ic=0 時(shí)，Vce=Vcc。當(dāng) Vce=0 時(shí)（實(shí)際上正常工作時(shí) Vce 不可能等于 0，這是它的特性決定的），Ic=Vcc/Rc。也就是說，Ic 不可能大于這個數(shù)值。對應(yīng)的基極電流 Ib=Ic/β=Vcc/βRc，這就是飽和基極電流的計(jì)算公式。

飽和分臨界飽和和過度飽和兩種狀態(tài)。當(dāng) Ib=Vcc/βRc 時(shí)，三極管基本處于臨界飽和狀態(tài)。

當(dāng)基極電流大于此值的兩倍，三極管就基本進(jìn)入深度飽和狀態(tài)。三極管深度飽和和臨界飽和的 Vce 差很大。臨界飽和壓降大，但退出飽和容易；深度飽和壓降小但不容易退出飽和。所以，不同用途選擇的基極電流是不一樣的。

還有，飽和壓降和集電極電流有直接關(guān)系。集電極電阻越小，飽和集電極電流就越大，飽和壓降越大。反之也相反（集電極電阻越大，飽和集電極電流就越小，飽和壓降越小）。如果集電極電流 5 毫安時(shí)三極管飽和，9013、9012 之類的飽和壓降一般不超過 0.6 伏。基極電流超過兩倍 Vcc/βRc 時(shí)，一般飽和壓降就小到 0.3V 左右了。